三星 2nm 良率被曝提至 40%,首发芯片Exynos 2600计划 11 月量产

IT之家 4 月 12 日消息,韩媒 asiae 于 4 月 10 日发布博文,消息称三星计划 2025 年 11 月量产首款采用 2 纳米工艺的 Exynos 2600 芯片。若 Galaxy S26 机型能顺利搭载 Exynos 2600,三星有望借此展示 2 纳米技术实力,吸引更多客户。

IT之家援引博文介绍,新任 Foundry 事业部负责人韩真晚(Han Jinman)上任后取得重大进展。他上任仅四个月,便着手优化生产良率并调整经营策略,全面检视了 2 纳米工艺的生产线和运营模式,不仅巩固技术优势,还拓宽了市场布局。

他积极拓展三星的客户群,从北美大厂扩展至中国、印度和欧洲的设计公司,增加成熟制程订单,以降低固定成本并提升先进制程的竞争力。

Exynos 2600 芯片采用 Gate-All-Around(GAA)技术,相较传统 FinFET 工艺更先进。这种技术通过四面环绕晶体管结构,提升芯片性能并降低功耗,适合高性能芯片需求。

三星此前已率先实现 3 纳米 GAA 量产,但受限于低良率,未能扭转代工业务的亏损局面。据悉,2 纳米工艺的良率已从年初的 20-30% 提升至 40% 以上,远超 3 纳米时期的表现。

业界认为,若 Exynos 2600 按计划搭载于 2026 年一季度发布的 Galaxy S26,将为三星代工业务注入强心剂,助力吸引外部客户。

然而,三星与行业龙头台积电的差距依然明显。台积电的 2 纳米初期良率已达 60%,而量产通常需良率稳定在 70-80%。三星需在下半年进一步优化工艺,以缩小差距。

根据 TrendForce 数据,2024 年第四季度,台积电市场份额达 67.1%,三星仅为 8.1%,首次跌至个位数。

面对挑战,韩真晚提出“技术提升”和“客户拓展”两大目标,推动代工业务转型。尽管市场曾传出三星可能退出代工的猜测,但公司明确表示将持续投资,力求凭借技术整合能力成为行业标杆。

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